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半導體清潔刷的技術(shù)支撐與應(yīng)用突破

發(fā)布時間:2025-09-03 瀏覽量:652 作者:傲群毛刷
隨著 AI 芯片需求增長,2nm GAA(全環(huán)繞柵極)架構(gòu)逐步推進,對晶圓表面粗糙度的要求提升至 Ra<0.5nm。當制程進入 2nm 時代,污染物控制需精準到 20nm 以下,傳統(tǒng)清潔技術(shù)面臨挑戰(zhàn),清潔刷的性能對制程突破起到重要支撐作用。

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